TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, IMAGE SENSOR WITH THE SAME

The problem to be solved according to embodiments of the present invention is to provide a transistor capable of reducing a flicker noise, a manufacturing method thereof, and an image sensor including the same. The transistor according to one embodiment of the present invention to solve the problem includes: a substrate; a gate insulation layer which is formed on the substrate and includes a negative charge holding layer including a fixed negative charge to induce a buried channel; and a gate electrode which is formed on the gate insulation layer. The present technology prevents the flicker noise due to a trap by forming the transistor which includes the gate insulation layer with the negative charge holding layer and the image sensor including the same. 본 발명의 실시예들이 해결하려는 과제는, 플리커 노이즈를 저감시킬 수 있는 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 이미지 센서를 제공하고자 하는 것으로, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함하는 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함할 수 있다. 본 기술은 음전하보유층을 포함하는 게이트 절연층이 포함된 트랜지스터 및 이를 포함하는 이미지 센서를 형성하여 트랩에 의한 플리커 노이즈를 방지하는 효과가 있다.