METHOD OF FABRICATING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD OF FABRICATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

The present invention relates to a method for fabricating a nitride semiconductor including a step of preparing a substrate in a reactor and forming an epilayer on the substrate. A pulse flow grown method is performed when forming the epilayer; the pulse flow grown method includes supplying group 3-5 source materials on the substrate; the group 3-5 materials are alternately supplied to the inside of the reactor; and the 5 group source materials include hydrazine-based materials. 본 발명은 질화물 반도체의 제조 방법에 관한 것으로, 반응기 내에 기판을 준비하는 것 및 상기 기판 상에 에피층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 에피층을 형성하는 것은 펄스 플로우 성장법을 수행하는 것을 포함하되, 상기 펄스 플로우 성장법은 상기 기판 상에 5족 소스 물질을 공급하는 것 및 상기 기판 상에 3족 소스 물질을 공급하는 것을 포함하고, 상기 5족 및 3족 소스 물질들은 상기 반응기 내에 교대로 공급되되, 상기 5족 소스 물질은 히드라진(hydrazine) 계열의 물질을 포함하는 질화물 반도체의 제조 방법에 제공된다.