METHODS AND STRUCTURES FOR FORMING AND PROTECTING THIN FILMS ON SUBSTRATES

기판 상에 박막을 형성하기 위한 방법이 개시된다. 방법은 불소를 갖는 제1 가스를 유동시킴으로써 공정 챔버를 세정하는 단계(402)를 포함한다. 방법은 또한 제1 지속 기간 동안 제2 가스를 유동시킴으로써 비정질 규소(A-Si)를 포함하는 제1 봉지 층으로 공정 챔버를 코팅하는 단계(404)를 포함하고, 여기서 제1 봉지 층은 불소 오염으로부터 보호한다. 방법은 기판을 공정 챔버 내로 로딩하는 단계(406), 제3 가스를 공정 챔버 내로 유동시킴으로써 기판 상에 박막을 침착시키는 단계(408), 및 공정 챔버로부터 기판을 언로딩하는 단계(410)를 추가로 포함한다. 박막은 질화규소(SiN)를 포함할 수 있고, 제1 가스는 삼불화질소(NF) 가스를 포함할 수 있으며, 제2 가스는 실란(SiH) 가스를 포함할 수 있다. 박막은 플라즈마-강화 화학 증착을 사용하여 형성될 수 있다. 기판은 태양 전지 또는 액정 디스플레이(LCD)일 수 있다. A method for forming of a thin film on a substrate is disclosed. The method includes cleaning a process chamber by flowing a first gas having fluorine. The method also includes coating the process chamber with a first encapsulating layer including amorphous silicon (A-Si) by flowing a second gas for a first duration, where the first encapsulating layer protects against fluorine contamination. The method further includes loading a substrate into the process chamber, depositing a thin film on the substrate by flowing a third gas into the process chamber and unloading the substrate from the process chamber. The thin film can include silicon nitride (SiN), the first gas can include nitrogen triflouride (NF3) gas and second gas can include silane (SiH4) gas. The thin film can be formed using plasma-enhanced chemical vapor deposition. The substrate can be a solar cell or a liquid crystal display (LCD).