ETCHING COMPOSITION FOR SILICON OXIDE LAYER

A silicon oxide film etching solution of the present invention, which comprises a metal film corrosion inhibitor having at least one thiol group, can selectively etch a silicon oxide film without damage to a metal film during etching treatment of the silicon oxide film comprising at least one metal film and, accordingly, can be effectively used when manufacturing all sorts of semiconductor devices. 본 발명의 실리콘 산화막 에칭액은 티올기를 하나 이상 갖는 금속막 부식 방지제를 포함하여 하나 이상의 금속막을 포함하는 실리콘 산화막을 에칭 처리시 상기 금속막의 손실 없이 실리콘 산화막을 선택적으로 에칭할 수 있게 된다. 따라서 각종 반도체 소자 제조시 유용하게 사용할 수 있다.