ELECTRONIC COMPONENT METAL MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND CONNECTOR TERMINAL, CONNECTOR AND ELECTRONIC COMPONENT USING SAID ELECTRONIC COMPONENT METAL MATERIAL

저위스커성, 저응착 마모성 및 고내구성을 갖는 전자 부품용 금속 재료, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품을 제공한다. 전자 부품용 금속 재료는, 기재와, 기재 상에 형성된, Ni, Cr, Mn, Fe, Co 및 Cu 로 이루어지는 군인 A 구성 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상으로 구성된 하층과, 하층 상에 형성된, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os 및 Ir 로 이루어지는 군인 B 구성 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종류 이상으로 구성된 중층과, 중층 상에 형성된, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os 및 Ir 로 이루어지는 군인 B 구성 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종류 이상과, Sn 및 In 으로 이루어지는 군인 C 구성 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종의 합금으로 구성된 상층과, 상층 상에 형성된 Sn 및 In 으로 이루어지는 군인 C 구성 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종으로 구성된 최표층을 구비하고, 하층의 두께가 0.05 ㎛ 이상 5.00 ㎛ 미만이고, 중층의 두께가 0.01 ㎛ 이상 0.50 ㎛ 미만이고, 상층의 두께가 0.50 ㎛ 미만이고, 최표층의 두께가 0.005 ㎛ 이상 0.30 ㎛ 미만이다. The present invention provides metallic materials for electronic components, having low degree of whisker formation, low adhesive wear property and high durability, and connector terminals, connectors and electronic components using such metallic materials. The metallic material for electronic components includes: a base material; a lower layer formed on the base material, the lower layer being constituted with one or two or more selected from a constituent element group A, namely, the group consisting of Ni, Cr, Mn, Fe, Co and Cu; an intermediate layer formed on the lower layer, the intermediate layer being constituted with one or two or more selected from a constituent element group B, namely, the group consisting of Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os and Ir; an upper layer formed on the intermediate layer, the upper layer being constituted with an alloy composed of one or two or more selected from the constituent element group B, namely, the group consisting of Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os and Ir and one or two selected from a constituent element group C, namely, the group consisting of Sn and In; an outermost layer formed on the upper layer, the upper layer being constituted with one or two selected from the constituent element group C, namely, the group consisting of Sn and In, wherein the thickness of the lower layer is 0.05 µm or more and less than 5.00 µm; the thickness of the intermediate layer is 0.01 µm or more and less than 0.50 µm; the thickness of the upper layer is less than 0.50 µm; and the thickness of the outermost layer is 0.005 µm or more and less than 0.30 µm.