SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

A manufacturing method of a semiconductor device forms a through electrode structure passing through a substrate partially. A part of the through electrode structure is exposed by removing the substrate partially. A protection film which includes a photosensitive organic insulating material and covers the exposed through electrode structure is formed on the substrate. The protection film is hardened. The hardened protection film is flattened until the through electrode structure is exposed. A pad structure which is in contact with the exposed through electrode structure is formed. Therefore, the protection film can be formed easily without a high priced facility and can be formed as a single film. Moreover, a process is simplified, and process efficiency is increased by minimizing a pad structure forming a step. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 기판을 부분적으로 관통하는 관통 전극 구조물을 형성한다. 상기 기판을 부분적으로 제거하여 상기 관통 전극 구조물의 일부를 노출시킨다. 감광성 유기 절연물질을 포함하며 상기 노출된 관통 전극 구조물을 커버하는 보호막을 상기 기판 상에 형성한다. 상기 보호막을 경화시킨다. 상기 관통 전극 구조물이 노출될 때까지 상기 경화된 보호막을 평탄화한다. 상기 노출된 관통 전극 구조물과 접촉하는 패드 구조물을 형성한다. 이에 따라, 상기 보호막을 고가의 설비 없이도 용이하게 형성할 수 있고, 또한 단일막으로 형성할 수도 있다. 그러므로 상기 패드 구조물 형성 단계를 최소화할 수 있어 공정 단순화 및 공정 효율 상승의 장점을 가질 수 있다.