TRENCH FORMATION IN A SEMICONDUCTOR MATERIAL

A semiconductor device (10) is formed on a semiconductor layer (16). A gate dielectric layer (18) is formed over the semiconductor layer. A layer of gate material (20) is formed over the gate dielectric layer. The layer of gate material is patterned to form a gate structure (20). Using the gate structure as a mask, an implant (24) into the semiconductor layer is performed. To form a first patterned gate structure (20) and a trench (42) in the semiconductor layer (16) surrounding a first portion (28) and a second portion (30) of the semiconductor layer and the gate, an etch through the gate structure (20) and the semiconductor layer (16) is performed. The trench (42) is filled with insulating material (46). 반도체 디바이스(10)는 반도체 층(16) 위에 형성된다. 게이트 유전체 층(18)은 반도체 층 위에 형성된다. 게이트 재료 층(20)은 게이트 유전체 층 위에 형성된다. 게이트 재료 층은 패터닝되어 게이트 구조(20)를 형성한다. 게이트 구조를 마스크로서 사용하여, 반도체 층으로의 임플랜트(24)가 실행된다. 제1 패터닝된 게이트 구조(20)와, 반도체 층 제1 부분(28) 및 제2 부분(30)과 게이트를 둘러싸는 트렌치(42)를 반도체 층(16) 내에 형성하기 위해서, 게이트 구조(20) 및 반도체 층(16)을 통한 에칭이 실행된다. 트렌치(42)는 절연 재료(46)로 채워진다.