CMOS image sensor and method for fabricating thereof

PURPOSE: A CMOS image sensor and a method for manufacturing the same are provided to improve capacity of a photodiode and property of a transistor by forming a doping region at lower portions of a trench isolation layer and a gate insulating layer. CONSTITUTION: A trench isolation layer(35) is formed in a substrate(31). A spacer(39) is formed at both sidewalls of the gate electrode. The first doping region(34) is formed at the sidewall and bottom of the trench isolation layer, and at the lower of the gate insulating layer. The second doping region(38) for a photodiode is formed in the substrate between the isolation layer and the gate electrode. The third doping region(41) for the photodiode is formed in the second doping region between the isolation layer and the spacer. 본 발명은 시모스 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 트렌치 소자분리막을 이용하는 시모스 이미지센서에서 트렌치 소자분리막의 측벽 및 저변과 게이트 절연막의 하부에 이온주입영역을 형성하여 포토다이오드의 용량감소를 방지함과 동시에 트랜지스터의 특성을 향상시킨 발명이다. 이를 위한 본 발명은 제1도전형의 반도체 기판과 상기 기판의 일정영역에 형성된 트렌치 소자분리막; 상기 소자분리막의 측벽 및 저면에 형성된 제1도전형의 제1이온주입영역; 상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막과 게이트 전극 및 상기 게이트 전극의 양 측벽에 구비된 스페이서; 상기 게이트 절연막의 하부의 상기 기판 내부에 형성된 제1도전형의 제2이온주입영역; 상기 소자분리막과 상기 게이트 전극 사이에 정렬되어 상기 기판내부에 형성된 제2도전형의 포토다이오드용 제3이온주입영역; 및 상기 소자분리막과 상기 스페이서 사이에 정렬되어 상기 제3이온주입영역과 기판 표면사이에 형성된 제1도전형의 포토다이오드용 제4이온주입영역을 포함하여 이루어진다.