Data Compensation Method for the Flash Memory Device

PURPOSE: A method for compensating data of a flash memory device is provided, which reads or writes correct data even though a degradation phenomenon continues by changing a bias voltage value provided to a reference cell of the flash memory device. CONSTITUTION: According to the method, it is checked whether correct cell data is output within a fixed number(S400). If correct cell data is output within the fixed number, the method ends(S500), and otherwise, a voltage provided to a reference cell is changed(S420). After changing the voltage provided to the reference cell, it is checked whether correct cell data is output within the fixed number. If correct cell data is output within the fixed number, the changed bias voltage is memorized(S431) and the method ends, and otherwise it is determined to be a FAIL(S432) and the method ends(S500). 본 발명에 의한 플래시 메모리 장치의 데이터 보상 방법은 소정의 회수 내에 올바른 셀 데이터가 출력되는지 확인하는 제1 과정; 소정의 회수 내에 올바른 셀 데이터가 출력되면 종료하고, 그렇지 않으면 레퍼런스 셀에 제공하는 전압을 변경하는 제2 과정; 상기 레퍼런스 셀에 제공하는 전압을 변경한 후, 소정의 회수 내에 올바른 셀 데이터가 출력되는지 확인하는 제3 과정; 및 소정의 회수 내에 올바른 셀 데이터가 출력되면 상기 변경된 바이어스 전압을 기억한 후 종료하고, 그렇지 않으면 페일 처리하고 종료하는 제4 과정을 포함한다.