Formation method of trench in semiconductor device

PURPOSE: A method for forming a trench of a semiconductor device is provided to completely fill the trench without voids by roundly forming the upper corner of the first silicon nitride pattern. CONSTITUTION: A pad oxide layer(12) and the first silicon nitride layer(13) are sequentially formed on a semiconductor substrate(11). An opening portion is formed for defining a trench region by selectively etching the first silicon nitride layer. The second silicon nitride layer is formed on the entire surface of the resultant structure. The substrate is partially exposed by carrying out an etch-back process on the second silicon nitride layer. At this time, the upper corner of the first silicon nitride layer rounds out. A trench is formed by etching the exposed substrate using the first silicon nitride layer as an etching mask. An oxide layer(17) is formed on the resultant structure for completely filling the trench. 반도체 소자의 트렌치를 형성하는 방법에 관한 것으로, 그 목적은 보이드가 형성되지 않고 트렌치가 완전히 매립되도록 트렌치 산화막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다. 이를 위해 본 발명에서는, 반도체 기판 상에 패드산화막과 제1실리콘질화막을 형성하는 단계; 제1실리콘질화막을 선택적으로 식각하여 목적하는 트렌치의 폭에 해당하는 폭으로 오프닝된 제1실리콘질화막 패턴을 형성하는 단계; 제1실리콘질화막을 포함하여 반도체 기판의 상부 전면에 제2실리콘질화막을 형성하는 단계; 제2실리콘질화막을 에치백하여 반도체 기판을 노출시키되, 에치백하는 중에 제1실리콘질화막 패턴의 오프닝된 부분에 인접한 상부 모서리를 라운딩시키는 단계; 제1실리콘질화막을 마스크로 하여 목적하는 소정깊이의 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 트렌치의 내부를 매립하도록 절연막을 형성하는 단계를 포함하여 반도체 소자의 트렌치를 형성한다.