3 Anisotropic Dry Etching of ZnO for Optical and Electronic Devices Using BCl3 Based Plasmas

PURPOSE: An anisotropic dry etching method of zinc oxide semiconductor for a photo device using BCl3 plasma gas is provided to be capable of increasing etching rate, obtaining an uniform surface, and improving anisotropic etching characteristics. CONSTITUTION: A zinc oxide layer is deposited on a semiconductor substrate. The resultant structure is stably loaded on a susceptor in a reaction chamber. Predetermined plasma is generated by supplying BCl3-containing gas into the reaction chamber. Then, a dry etching process is carried out on the resultant structure by using the predetermined plasma. Preferably, the BCl3-containing gas further contains Cl2. Preferably, the BCl3-containing gas further contains Ar. Preferably, the dry etching process is carried out at the pressure of 1 mTorr to 1 Torr. 본 발명은 BCl을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 산화아연 반도체를 반응성 이온 식각 (inductively coupled plasma reactive ion etching)하는 것을 특징으로 한다. 이 때, BCl을 사용하는 이유는, 산화 아연 반도체내의 산소 성분과 아연 성분이 BCl플라즈마내의 BCl 라디칼과 Cl 라디칼과 결합하여 휘발성이 큰 유기금속 기체의 형태로 제거되도록 함으로써 반응성 이온식각의 효율을 증대시키기 위함이다. 본 발명의 BCl을 포함하는 기체를 플라즈마를 이용하여 산화 아연 반도체를 건식 식각할 경우 빠른 식각 속도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 우수한 이방성을 얻을 수 있어, 산화 아연 반도체를 이용하여 광전소자 및 통신 소자 제작시 우수한 건식 식각 공정을 제공할 수 있을 것으로 기대된다.