Method for measuring concentration of Nitrogen of N-doped silicon single crystal

PURPOSE: A method for measuring concentration of nitrogen of nitrogen-doped silicon single crystal is provided, thereby enabling repeated measurement of the nitrogen concentration, reducing the measurement time, and measuring the nitrogen concentration using FTIR(fourier transform infrared). CONSTITUTION: The method for measuring concentration of nitrogen of nitrogen-doped silicon single crystal comprises the steps of: cutting a first silicone single crystal which is not nitrogen-doped and a second silicone single crystal which is nitrogen-doped to prepare a first sample and second sample; both-side polishing the first and second samples; loading the first and second samples to FTIR to regulate the temperature of them to about 10K; measuring the IR spectrum of the first and second samples; and calculating absorbance(Arb) from the difference between IR spectrum of the first and second samples to measure the nitrogen concentration doped in the second sample, wherein the first and second samples have thickness of 4 to 10 mm. 본 발명은 실리콘 단결정의 질소 농도를 측정하는 방법에 관한 것으로, 특히, IR 스펙트럼 측정을 통한 실리콘 단결정의 질소 농도를 측정하는 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명인 실리콘 단결정의 질소 농도 측정 방법은 실리콘 단결정의 동일한 성장 조건에서, 질소가 도핑되지 않고 제조된 실리콘 단결정(이하, 제 1 실리콘 단결정'라 함)과 질소가 도핑되어 제조된 실리콘 단결정(이하, '제 2 실리콘 단결정'라 함)을 각각 준비한 후, 상기 제 1 및 제 2 실리콘 단결정을 적정한 크기로 절단하여 각각 제 1 및 제 2 샘플로 샘플링(sampling)하는 제 1단계와, 상기 제 1 및 제 2 샘플을 각각 양면 연마(both-side polishing)하는 제 2단계와, 상기 제 1 및 제 2 샘플을 각각 FTIR에 로딩(loading)하여, 상기 제 1 및 제 2 샘플의 온도를 약 10K의 온도로 조절하는 제 3단계와, 상기 제 1 및 제 2 샘플의 IR 스펙트럼(spectrum)을 측정하는 제 4단계와, 상기 제 4단계에서 측정한 제 1 및 제 2 샘플의 IR 스펙트럼의 차이로부터 질소의 흡수 계수(Absorption coefficient)를 구하여 제 2 샘플에 도핑된 질소의 농도를 정량 분석하는 제 5단계를 포함하는 것이 특징이다.