method for manufacturing metal line in semiconductor device

PURPOSE: A method for forming a metal line of a semiconductor device is provided to restrain the generation of tungsten plug fall-down and Ti loss under a plasma dry etching process by forming a double spacer made of a Ti layer and an oxide layer. CONSTITUTION: A lower metal line(102) is formed on a semiconductor substrate(100). An insulating layer(104) is formed on the resultant structure. At this time, the insulating layer has a via hole and a conductive plug(108) for filling the via hole. An upper metal line(114) is formed on the insulating layer for being partially connected with the conductive plug. A metal layer and an oxide layer are sequentially formed on the entire surface of the resultant structure. A double spacer(119,121) is formed at both sidewalls of the upper metal line by carrying out a dry etching process on the oxide layer and the metal layer. 본 발명은 금속막-산화막의 이중 스페이서를 이용하여 금속 배선의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관해 개시한 것으로서, 하부 금속배선을 포함한 반도체 기판을 제공하는 단계와, 기판 상에 비아 홀 및 비아 홀을 매립시키는 도전 플러그를 가진 절연막을 형성하는 단계와, 절연막 상에 적어도 도전 플러그의 일부분과 연결되는 상부 금속배선을 형성하는 단계와, 결과물 전면에 도전 플러그와 동일 재질의 금속막 및 산화막을 차례로 형성하는 단계와, 산화막 및 금속막을 건식 식각하여 상부 금속배선 측면에 도전 플러그 표면을 덮는 금속막-산화막 이중 스페이서를 형성하는 단계를 포함한다.