method for manufacturing of phase shift blank mask and photo-mask

PURPOSE: A method for fabricating a halftone phase shift blank mask and a photo mask is provided to reduce the thickness necessary for a phase shift layer of 180 degrees by forming a phase shift layer having a large refractive index. CONSTITUTION: A phase shift layer(20) is formed on a transparent substrate(10) by mixing argon gas and methane gas according to a predetermined ratio by using a MoSi target. A shielding layer(30) is formed on the phase shift layer(20) by mixing the argon gas, nitrogen gas, and the methane gas by using a chrome target. An anti-reflective layer(40) is formed on the shielding layer(30) by using the mixed gas of the argon gas, the nitrogen gas, and CO2 gas or the mixed gas of the argon gas, N2O gas, and NO gas. A resister layer(50) is formed on the anti-reflective layer. 본 발명은 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 이를 위하여 본 발명은 규화몰리브덴 타겟을 사용하여 마그네트론 반응성 스퍼터링 방법으로 불활성 가스인 아르곤 가스와 반응성 가스인 질소가스 및 메탄가스를 첨가하여 탄화질화규화몰리브덴(MoSiCN) 박막인 위상 시프트막을 형성하고, 이 위상 시프트막을 이용해 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제조하는 방법을 포함한다. 따라서, 본 발명은 미량의 메탄가스를 첨가하여 180도 위상 시프트에 필요한 박막 두께에서 투과율 조절이 용이해지고, 세정약품 및 레이저 광원에 장시간 노출할 때 신뢰성이 우수하므로 반도체 집적 회로의 미세화 및 고집적화에 적합한 위상 시프트막을 제작할 수 있는 효과를 제공하여 준다.