Chemical solution for etching oxide of semiconductor device

PURPOSE: An etchant for the oxide coating of a semiconductor device is provided, to prevent a metal coating from being damaged when a sample is dipped in an etchant to etch an oxide coating. CONSTITUTION: The etchant for an oxide coating comprises at least one selected from a standard oxide etchant and a buffer oxide etchant and ethylene glycol in the ratio of 0.1-3 to 1 by weight, wherein the standard oxide etchant is a mixture of H2O, NH4F and CH3COOH in the ratio of 207 : 62.5 : 250 by weight and the buffer oxide etchant is a mixture of H2O, NH4F and HF in the ratio of 52.2 : 29 : 13 by weight. Preferably the etchant for an oxide coating comprises a buffer oxide etchant and ethylene glycol in the ratio of 0.1-2 : 1 by weight. Preferably the oxide coating is the oxide coating formed by the high density plasma process. 반도체 소자의 산화막 식각용 화학 용액에 관한 것으로, 그 목적은 반도체 소자의 산화막을 식각하기 위해 화학용액 내에 시편을 침지할 때 금속막이 손실되지 않도록 하는 데 있다. 이를 위해 본 발명에서는 산화막 식각용 화학 용액으로서, SOE(standard oxide etchant : 표준 산화물 식각용 화학 용액) 및 BOE(buffer oxide etchant : 버퍼 산화물 식각용 화학 용액) 중의 어느 하나 또는 둘과 에틸렌글리콜(ethylenglycol)이 (0.1~3) : 1 의 중량비율로 혼합된 화학 용액을 사용하는 것을 특징으로 하며, 이 때 SOE는 HO와 NHF와 CHCOOH가 207 : 62.5 : 250 의 중량비율로 혼합된 것이고, BOE는 HO와 NHF와 HF가 52.2 : 29 : 13 의 중량비율로 혼합된 것이다.