Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

PURPOSE: A method for manufacturing a trench isolation layer of a semiconductor device is provided to restrain the warpage of a wafer caused by stress-strain of a front and back film of the wafer. CONSTITUTION: The first and second pad oxide layers(21a,21b) are formed on a front side and a back side of a wafer(20), respectively. The first and second pad nitride layers are formed on the first and second pad oxide layers. A trench mask layer is formed by patterning the first pad nitride layer and the first pad oxide layer(21a). A trench is formed by etching the wafer(20) using the trench mask layer. After removing the second pad nitride layer, a trench buried oxide layer(26) is filled into the trench. After planarizing the trench buried oxide layer(26), the first pad nitride layer and the first and second pad oxide layers are removed. 본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 소자간의 전기적 분리를 위한 소자분리 공정에 관한 것이며, 더 자세히는 트렌치 소자분리 공정에 관한 것이다. 본 발명은 트렌치형 소자분리 공정시 웨이퍼 전면 및 배면 필름의 응력 불균형에 의한 웨이퍼의 휨 정도를 줄일 수 있는 반도체 소자의 트렌치형 소자분리막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 웨이퍼의 변형(휨)은 웨이퍼에 증착되는 필름의 응력 불균형에 기인한다. 웨이퍼 전면과 후면에 동시에 증착되는 필름은 웨이퍼 양면에 대해 동일한 특성 응력을 갖게 하므로, 웨이퍼의 휨에 기여를 하지 않지만, 웨이퍼의 한쪽 면에만 증착되는 필름은 그 특성 응력에 따라 웨이퍼를 휘게 한다. 일반적으로, 질화막은 인장 응력을 가지며 이에 반해 산화막은 압축 응력을 가진다. 따라서, 질화막과 산화막이 한 면에 있으면 응력이 서로 상쇄되는 효과가 있고, 각각 반대면에 있으면 오히려 변형을 더 크게 하는 효과가 있을 것이다. 본 발명은 트렌치 매립 산화막 증착 전에 웨이퍼 배면의 패드 질화막을 제거함으로써, 웨이퍼 전면의 패드 질화막의 인장성 응력과 트렌치 매립 산화막의 압축성 응력이 균형을 이루게 하여 웨이퍼의 휨 현상을 감소시킨다.