METHOD OF END POINT DETECTION OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS

PURPOSE: A method for detecting an end point of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process is provided to be capable of obtaining a constant end point by using the reflectivity difference between a tungsten layer and an oxide layer. CONSTITUTION: A lamp(6) and a light detector(7) are located at the lower portion of a polishing pad(5). The polishing pad has a pad window(5a). After loading a wafer(10) at a wafer carrier, the wafer carrier is moved to the upper portion of the polishing pad. At this time, an oxide layer(3), a barrier(2), and a tungsten layer(1) are sequentially deposited at the upper portion of the wafer. Then, the light of the lamp is reflected at the tungsten layer toward the light detector through the pad window while carrying out a CMP process. As progressing the CMP process, the thickness of the wafer becomes thinner. In the end, the oxide layer(3) is exposed and the light reflectivity is changed. At this time, the CMP process is finished. 본 발명은 CMP 공정의 앤드 포인트 검출(EPD) 방법에 관한 것으로, 텅스텐(W) CMP 공정에서의 앤드 포인트(End Point)를 항상 일정한 값을 가지는 텅스텐(W)과 산화막 간의 반사율 차이를 이용하여 EPD를 검출하도록 하므로써 일정한 EPD를 얻을 수 있다. 이를 위한 본 발명에 의한 CMP 공정의 앤드 포인트 검출 방법은, 화학적기계적연마(CMP) 공정을 진행하면서 동시에 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)을 하는 것으로, 상기 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)은 항상 일정한 값을 가지는 텅스텐(W)과 산화막 간의 반사율 차이를 이용하여 검출 하므로써 일정한 앤드 포인트 검출(EPD)을 얻을 수 있는 것을 특징으로 한다.