METHOD FOR FORMING ISOLATION

PURPOSE: A method for forming an isolation layer is provided to prevent INWE(Inverse Narrow Width Effect) and hump by forming the isolation layer without using trench. CONSTITUTION: After coating a photoresist layer containing silicon on a semiconductor substrate(10), the photoresist layer is patterned. The surface of the photoresist pattern is oxidized by O2 plasma treatment. An oxide layer(12) is then deposited on the resultant structure. After planarizing the oxide layer(12) using CMP, the exposed photoresist pattern is removed by ashing. A silicon epitaxial layer(13) is then grown on the exposed substrate by SEG(Selective Epitaxial Growth). 본 발명은 반도체 기판에 트랜치를 형성하는 대신에 기판의 상부에 실리콘이 함유된 포토레지스트를 코팅한 후 O플라즈마 처리를 통해 산화시킨 후 그 상부에 산화막을 증착하고 CMP 평탄화 공정후 포토레지스트를 제거하고, 포토레지스트가 제거된 부분에 Si SEG를 성장시켜 전기적으로 통전이 가능한 활성 영역과 소자를 분리하게 하는 소자 분리 영역을 형성하는 소자 분리막 형성 방법에 관한 것이다.