Fabricating Method of Thin Film Transister Array

PURPOSE: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) array is provided to be capable of preventing the delamination phenomenon of a glass substrate by compressing the glass substrate at a hot plate using a compressing part. CONSTITUTION: After forming a deposition layer at the upper porti...

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1. Verfasser: NOH, BYEONG TAE
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:PURPOSE: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) array is provided to be capable of preventing the delamination phenomenon of a glass substrate by compressing the glass substrate at a hot plate using a compressing part. CONSTITUTION: After forming a deposition layer at the upper portion of a glass substrate(42), a photoresist pattern is formed on the deposition layer. Then, the photoresist pattern formed glass substrate is loaded on a hot plate(40). A predetermined region of the glass substrate is compressed at the upper portion of the hot plate by using a compressing part. After carrying out an etching process at the deposition layer using the photoresist pattern as an etching mask, the photoresist pattern is completely removed. Preferably, a bar type structure is used as the compressing part. 본 발명은 박막 트랜지스터 어레이의 노광 공정후 포토레지스터와 증착막의 접촉성을 향상하도록 한 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법은 유리기판 상에 증착막을 형성하는 단계와, 상기 증착막 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 유리기판을 핫 플레이트 상에 올려 놓는 단계와, 상기 유리기판의 소정 영역을 핫 플레이트 상에 압착시키는 단계와, 상기 핫 플레이트 상에 소정 영역이 압착된 유리기판을 베이킹하는 단계와, 상기 포토 레지스트 패턴에 의해 불요한 부분의 증착막을 에칭하는 단계와, 상기 에칭 후 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법은 노광 공정 중 베이크 또는 식각 공정의 에칭전 베이크시 소정 부분에 압착수단들을 이용하여 유리기판을 핫 플레이트에 압착시킴으로써 유리기판의 들뜸을 방지할 수 있게 된다. 또한, 유리기판의 들뜸이 방지함으로써 유리기판 상에 형성된 박막과 포토 레지스트 패턴과의 접촉율을 향상함과 아울러 균일한 증착막을 형성할 수 있게 된다.