Thin Film Diode and its method for manufacturing

PURPOSE: A thin film diode and a fabricating method therefor are provided to use a three-layered thin film diode structure in a soft polymer substrate by forming an insulation layer and a mask between a lower electrode and an upper electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(21) of a soft material is formed on a substrate(10). An insulation layer(25) of an organic material is formed on the substrate and the lower electrode. An upper mask of an insulation layer is applied to a position corresponding to the lower electrode. The insulation layer is patterned through a dry etch process. An upper electrode(23) is formed in a predetermined region of the lower electrode. 본 발명은 연성 고분자 기판에 적용 가능한 박막 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명의 실시예는, 기판 위에 연성 재질의 하부 전극이 형성되고, 상기 기판과 하부 전극의 상부에 유기물질의 절연막이 도포되는 단계, 하부 전극과 대응되는 위치의 절연막의 상부 마스크가 도포되는 단계, 건식 식각을 이용하여 절연막을 패터닝(patterning)하는 단계, 하부전극의 일부 영역에 상부 전극이 형성되는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명은 하부 전극과 상부 전극 사이에 절연막과 마스크를 형성한 박막 다이오드 구조로 인해 연성 고분자 기판에 적용 가능하고, 또한 하부 전극을 연성 재질로 형성하고 절연막을 유기 물질로 형성함으로써 연성 고분자 기판에 적용시 기판의 변형이나 전극의 균열이 방지될 수 있어 소자의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있는 효과를 제공하여 준다.