UNIT PIXEL OF CMOS IMAGE SENSOR

PURPOSE: A unit pixel of a CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor is provided to be capable of obtaining a high sensitivity and increasing the efficiency and transformation gain of the image sensor without modifying a CMOS process. CONSTITUTION: A unit pixel of a CMOS image sensor is provided with a semiconductor substrate(110), a plurality of isolation layers(121,122,123) spaced apart from each other at the semiconductor substrate, a plurality of first diffusion layers(111,112,113) formed between the isolation layers, and the second diffusion layer(114) formed at the lower portion of the first diffusion layer. The unit pixel of a CMOS image sensor further includes a switch(133) for controlling the voltage supplied to one of the first diffusion layers, an amplifier(131) connected to the first diffusion layer supplied with the voltage from the switch, and a voltage source(132). 본 발명은 CMOS 이미지센서에 관한 것으로서, CMOS 이미지센서에서 빛이 입사되는 표면에 가까이 형성되는 P-N접합부와 그 하단의 P-N접합부를 갖는 PNP접합 구조의 포토다이오드가 동시에 작용되도록 하여 표면부 근처에서 흡수율이 높은 청색계열 파장 및 하단부에서 흡수율이 높은 적색계열 파장에 대해 모두 반응할 수 있도록 할 뿐만 아니라 표면부의 P-N접합 포토다이오드의 캐패시턴스를 상쇄시켜 수집된 광전하가 전압으로 변환되는 비율을 증가시킴으로서 높은 신호대 잡음비를 갖도록 함으로써 표준 CMOS공정의 수정 없이 이미지센서 소자의 효율 및 변환이득을 증가시켜 높은 감도를 갖도록 한 이점이 있다.