ICP Fabrication of Superconducting Flux Flow Transistor by the ICP method

PURPOSE: An SFFT(Superconducting Flux Flow Transistor) using an ICP(Inductively Coupled Plasma) apparatus is provided to be capable of reducing the power dissipation of the transistor and preventing the under cut generated when carrying out a wet etching process. CONSTITUTION: A mask pattern for manufacturing an SFFT device is formed into a predetermined shape. At this time, the mask pattern includes a control line, a body line adjacent to the control line, and a channel. At this time, the size of the control line is 20 μm. At the time, the distance between the control line and the body line is 5 μm. At the time, the width of the channel is 3 μm. Preferably, an ICP etching apparatus is used when forming the channel. 본 발명은 YBaCuO 초전도 박막과 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma)를 이용하여 재현성 있는 스윗칭 및 증폭 특성을 나타내는 초전도 자속 흐름 트랜지스터(SFFT)를 제작하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 YBaCuO 박막 위에 초전도체로 구현된 스트립라인에 외부 전류를 인가하여 자계를 발생시키고 이 발생된 자계에 의하여 이웃하고 있는 또 다른 초전도 스트립 라인의 저항을 효율적으로 변화시킬 수 있는 패턴 구현, 유도결합플라즈마(ICP)를 이용한 초전도 트랜지스터의 채널 제작을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 초전도체로 구현된 스트립라인에 외부 전류를 인가하여 자계를 발생시키고 이 자계의 변화에 의하여, ICP 장비를 이용하여 채널을 제작한, 같은 기판 위의 또 다른 초전도 스트립라인의 인가전류의 크기를 효율적으로 조절하는 것이다. 또한 ICP 장치를 사용하여 트랜지스터의 채널을 제작함으로 under cut이 발생하지 않아 재현성 있는 증폭, 스윗칭 특성을 갖는 트랜지스터를 제작할 수 있다. 이렇게 제작된 트랜지스터는 기존의 반도체 트랜지스터에서 스윗칭 On 상태에서도 약 0.7 V의 전압강하(Si 반도체 기준)가 발생하는데 반하여 본 발명은 임계온도 이하에서 저항이 0인 초전도 특성을 이용하였기 때문에 스윗치 on 상태에서도 전압강하가 없는 저전력 고속의 스윗칭 특징을 보인다.