Semiconductor memory device having capacitor and fabrication method thereof

PURPOSE: A semiconductor memory device including a capacitor and its manufacturing method are provided to maximize capacitance without using a cylinder type storage node. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(47a) having a buried contact(35) hole is formed between bitline spacers(27) on a semiconductor substrate(21). A concave type plug(37a) is formed in the buried contact hole. A cylinder type storage node is formed on the interlayer dielectric, supported by the concave type plug. A dielectric layer(51) is formed to cover the cylinder type storage node and a plate electrode(53) is formed on the dielectric layer. 본 발명의 반도체 메모리 소자는 반도체 기판 상의 매몰 콘택홀 내에 오목형 플러그와, 상기 오목형 플러그에 안정되게 지지되어 실린더형 스토리지 전극을 포함한다. 상기 실린더형 스토리지 전극을 커버하도록 유전막이 형성되어 있고, 상기 유전막 상에 플레이트 전극이 형성되어 있다. 이에 따라, 본 발명의 반도체 메모리 소자는 상기 오목형 플러그로 인해 실린더형 스토리지 전극이 쓰러지지 않으면서도 커패시턴스를 극대화하기 위해 실린더형 스토리지 전극의 높이를 높게 가져갈 수 있다.