Stack Capacitor and Method of Fabricating the Same

PURPOSE: A stack capacitor and method of fabricating the same are provided to prevent toppling or bridge of a storage node, and to achieve a fine and integrated stack type capacitor. CONSTITUTION: An insulation layer(310) having a contact(315) and a contact pad(320) is formed. The first etch stop layer(330), the first insulation layer, the second etch stop layer(340) and the second insulation layer are formed on the insulation layer. An opening for a storage node is formed to expose the contact pad by etching their layers. The third insulation layer is formed on the first conductive layer. The first conductive layer and the third insulation layer are etched to expose the second insulation layer. The third insulation layer and the second insulation layer exposed are removed to form a storage node(361). A dielectric layer(370) and a plate node(375) are formed on the substrate. 본 발명은 스토리지 노드의 쓰러짐이나 브리지 발생없이 충분한 캐패시턴스를 확보할 수 있는 반도체 메모리장치의 스택형 캐패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 스택형 캐패시터의 제조방법은 반도체 기판상에, 콘택패드가 형성된 콘택을 구비한 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막상에 제1식각정지층, 제1절연막, 제2식각정지층 및 제2절연막을 형성하는 단계와; 상기 콘택패드가 노출되도록 상기 제1식각정지층, 제1절연막, 제2식각정지층 및 제2절연막을 식각하여 스토리지 노드용 개구부를 형성하는 단계와; 기판전면에 제1도전막을 형성하는 단계와; 상기 제1도전막상에 제3절연막을 형성하는 단계와; 상기 제2절연막이 노출될 때 상기 제1도전막과 제3절연막을 식각하는 단계와; 남아있는 제3절연막과 노출된 제2절연막을 제거하여 스토리지 노드를 형성하는 단계와; 기판전면에 유전막과 플레이트 노드를 형성하는 단계를 포함한다.