Image sensor with improved light efficiency and fabricating method of the same

PURPOSE: An image sensor and a method for manufacturing the same are provided to be capable of minimizing the reflection of light incident to a light sensing region, and optimizing focusing. CONSTITUTION: An image sensor comprises a light sensing region(PD), a pre-metal dielectric(PMD) formed on the light sensing region, and a reflection layer(RL) formed on the pre-metal dielectric(PMD). The reflection layer(RL) is formed to open center portion of the light sensing region(PD) and to cover peripheral portion of the light sensing region(PD), thereby minimizing the reflection of light incident to a light sensing region. The reflection layer(RL) is one selected from group consisting of W, Ti, TiN, Al, Cu, Pt, Ir, Ru, Rb, La, Hf, Ta, Au, Rh, Cr, Ce, Os, V and oxide thereof. 본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 칼라필터의 분광영역이 오버랩되는 부분을 최소화하기에 적합한 이미지센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 광감지영역; 상기 광감지영역 상에 배치된 절연막; 및 상기 광감지영역의 중앙부를 오픈시키며 그 주변부를 덮는 구조로 배치되어, 상기 광감지영역에서 반사된 빛을 상기 광감지영역으로 재반사하기 위해 상기 절연막 상에 배치된 반사층을 포함하는 이미지센서를 제공한다. 또한, 본 발명은 광감지영역을 포함하는 반도체층 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 반사층을 형성하는 단계; 및 상기 반사층을 선택적으로 식각하여, 상기 광감지영역 중앙부를 제외한 주변부에만 남도록 하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.