Method for manufacturing thermal oxide layer of semiconductor device

PURPOSE: A method for forming a thermal oxide layer of a semiconductor is provided to prevent the generation of initial thermal oxide layers having bad characteristics and form uniformly thin thermal oxide layers below 20 angstrom. CONSTITUTION: A wafer is loaded into a tube of the predetermined temperature. A mixed gas including an oxygen gas and an inert gas is supplied to the inside of the tube. The first temperature rising process is performed by applying the heat to the inside of the tube in a predetermined rate. The inert gas is supplied to the inside of the tube. The second temperature rising process is performed by applying the heat to the inside of the tube in a predetermined rate to form a thermal oxide layer. A stabilization process for the tube is performed. The thermal oxide layer is formed on the wafer by supplying the oxygen gas to the inside of the tube. 본 발명은 반도체 열산화막 형성방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 반도체 열산화막 형성방법은, 소정온도의 튜브 내부에서 웨이퍼가 대기하는 대기단계, 상기 대기단계가 수행된 상기 튜브 내부로 산소(O)가스와 불활성가스가 소정비율로 혼합된 혼합가스를 공급하고, 상기 튜브의 내부온도를 소정비율로 상승시키는 제 1 온도상승단계, 상기 제 1 온도상승단계가 수행된 상기 튜브 내부로 상기 불활성가스만을 공급하고, 상기 튜브의 내부온도를 열산화막 형성온도까지 소정비율로 상승시키는 제 2 온도상승단계, 상기 제 2 온도상승단계가 수행된 상기 튜브를 소정시간동안 안정화시키는 안정화단계 및 상기 안정화단계가 수행된 상기 튜브 내부로 소정량의 산소가스를 공급하여 상기 웨이퍼 상에 열산화막을 형성하는 산화막형성단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 막질의 특성이 불량한 초기 열산화막이 웨이퍼 상에 형성되는 것을 억제하면서 박막성 및 균일성이 확보된 20Å이하의 얇은 열산화막을 형성할 수 있는 효과가 있다.