Insulation-film Etching System

PURPOSE: To provide an insulating film etching system that can effectively prevent adhesion of particles to a substrate and is excellent in performance. CONSTITUTION: While the substrate 9 is held by a substrate holder 2 provided in a process chamber 1, an etching gas is introduced into the chamber 1 by a gas inlet system 3. An insulating film on the surface of the substrate 9 is etched by the action of an active species and ions contained in a plasma formed by a plasma forming means 4. After completion of the etching, a control section 8 takes out the substrate 9 from the process chamber 1 by a transport robot 51 and evacuates the chamber 1 by an exhaust system. Then the section 8 removes films deposited on exposed surfaces in the chamber 1 by the action of a plasma formed by the plasma forming means 4 by introducing a cleaning gas by the gas inlet system 3. A cooling trap 12 provided at a level lower than the substrate holding surface of the substrate holder 2 is forcibly cooled and causes many films to deposit by collecting gas molecules which tend to deposit. The trap 12 is replaceable and the surface of the trap 12 has irregularity sections to prevent the peeling of deposited films. The surfaces of the irregularity sections are composed of an oxide or insulator. 기판에의 파티클의 부착을 효과적으로 방지한 우수한 성능의 절연막 에칭장치를 제공한다. 프로세스 챔버(1)내의 기판홀더(2)상에 기판(9)이 유지되고, 에칭용 가스가 가스도입계(3)에 의해 도입된다. 플라즈마 형성수단(4)에 의해 플라즈마가 형성되고, 플라즈마중의 활성물질이나 이온의 작용에 의해 기판(9)표면의 절연막의 에칭이 행해진다. 제어부(8)는, 에칭완료후, 반송로봇(51)에 의해 기판(9)을 프로세스 챔버로부터 꺼내고, 프로세스 챔버(1)내를 배기계에 의해 배기한 후, 클리닝용 가스를 가스도입계(3)에 의해 도입하고, 플라즈마 형성용수단(4)에 의해 형성하여, 프로세스 챔버(1)내의 노출면에 퇴적된 막을 플라즈마의 작용에 의해 제거한다. 기판유지면보다 하방에 설치된 냉각트랩(12)은 강제냉각되어, 퇴적작용이 있는 가스분자를 포집하여 다수의 막을 퇴적시킨다. 냉각트랩(12)은 교환 가능하고, 그 전면은 퇴적된 막의 박리를 방지하는 요철이 있고, 표면은 산화물 또는 절연물이다.