Thin Film Piezoelectric Type Resonator and Process of The Same

PURPOSE: A piezoelectric thin film resonator and a fabrication method thereof are provided which has a good resonance characteristics and an easy fabrication process by forming a bottom electrode and a piezoelectric thin film and top electrode after forming an acoustic reflection layer. CONSTITUTION: A piezoelectric thin film(30) is formed on a substrate(2) in a fixed shape and a fixed thickness with a material having piezoelectricity. An acoustic reflection layer(10) is formed between the substrate and the piezoelectric thin film with a material having an acoustic impedance as low as 1/20 of the above piezoelectric thin film. A bottom electrode(20) is formed between the piezoelectric thin film and the acoustic reflection layer with a conductive material. And a top electrode(40) is formed on the piezoelectric thin film with a conductive material. 공진특성이 우수하고 제조가 용이하며 생산성 및 생산수율이 향상되도록, 기판 위에 소정의 형상과 두께로 형성하는 압전박막과, 압전박막보다 음향 임피던스가 대략 1/20 이하인 재료로 기판과 압전박막 사이에 소정의 형상과 두께로 형성하는 음향반사층과, 전도성 재료로 상기한 압전박막과 음향반사층 사이에 형성하는 하부전극과, 전도성 재료로 압전박막 위에 형성하는 상부전극을 포함하는 압전박막형 공진기를 제공한다. 음향반사층을 형성하는 재료로는 음향 임피던스가 낮은 포토레지스트, 고분자재료, 다공성 재료, 연질재료 등이 바람직하며, 음향반사층은 기판에 소정의 형상과 두께로 포토레지스트를 도포하고 도포된 포토레지스트의 측면이 일부 용융되어 완만한 경사면으로 기판과 연결되면서 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성하는 과정에서 제거되지 않도록 열처리하여 형성한다.