Method for forming a titanium silicide thin film

PURPOSE: A method for fabricating a titanium silicide thin film is provided to easily form a titanium silicide layer having low resistivity at a relatively low temperature by cyclically supplying reaction gas and purge gas as inert gas, and to shorten a time interval for depositing a layer by forming the layer composed of a single atom layer or several atom layers. CONSTITUTION: TiCl4 gas as a reaction material with a substrate is introduced. A part of the reaction material is chemically absorbed to the substrate. The reaction material not absorbed to the substrate is eliminated. SiH4 gas or Si2H6 gas is introduced to the substrate to form a solid material containing TiSi2 on the substrate by exchanging a ligand with the absorbed reaction material. A reaction byproduct generated by the exchange of the ligand is eliminated. The abovementioned processes are repeated at least once to transform the solid material into a TiSi2 thin film. 반응 물질로서 TiCl가스와 실리콘 소오스 가스를 교번하여 공급하여 티타늄 실리사이드 박막을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 상기 기판상에 TiCl가스를 도입하고, 상기 반응 물질의 일부를 기판상에 흡착시킨다. 그리고, 상기 기판 상에 흡착하지 않는 반응 물질을 제거한다. 이어서, 상기 기판 상에 SiH및 SiH중 어느 하나를 도입하여 상기 흡착된 반응 물질과 리간드 교환에 의해 상기 기판 상에 TiSi를 함유하는 고체 물질을 형성한다. 상기 리간드 교환에 의해 생성된 반응 부산물을 제거한다.