3 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES BY USING PATTERN WITH THREE-DIMENSIONAL

PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device using pattern WITH 3-D structure is provided to produce a c-MOSFET by performing the whole etch, selective etch and the whole deposition process repeatedly without any mask process. CONSTITUTION: A 3-D structure pattern is formed on a substrate(100) by pressing a cast or mold onto the prepared materials on the substrate. An n-type device region is formed by reactive ion etching on the 3-D structure pattern and the insulating layer(102). Source electrode material is deposited to flatten the whole surface and then whole-etched to form a p+ source electrode(108). An n gate(124) and p+ drain(132) electrode are formed by the same etching process as that used in forming p+ source electrode. Likewise, p-type device region is formed and then n+ source(118), p+ gate and n+ drain electrode are formed. After forming a trench and then a metal wire repeatedly by performing the reactive ion etching, the whole etch and deposition, an NP metal wire(128), gate metal wire(136), n type metal wire(144) and p type metal wire(152) are formed in turn. A top protective layer(154) is covered to flatten the whole structure. 본 발명은 마스크 공정을 필요로 하지 않으며, 전면 식각, 선택적 전면 식각 및 증착 공정의 반복적인 수행을 통해 반도체 소자를 제조한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 다수의 마스크 및 정렬을 수행하는 복잡한 공정을 통해 다양한 형태의 패턴층들을 갖는 반도체 소자를 제조하는 종래 방법과는 달리, 마스크 공정 및 정렬 공정을 필요로 함이 없이, 기판 상에 3차원 구조의 패턴을 형성하고, 이 형성된 3차원 구조의 패턴을 이용하여 전면 식각 또는 선택적 전면 식각 및 전면 증착 공정을 필요에 따라 반복적으로 수행함으로써, c-MOSFET 형의 반도체 소자를 제조할 수 있기 때문에, 종래 방법과 비교해 볼 때, 반도체 소자의 제조 공정 간소화와 원가 절감은 물론 반도체 소자의 고 밀도 집적을 실현할 수 있는 것이다.