Heater assembly for heating a wafer
PURPOSE: A heater assembly for heating a wafer is provided to reduce a thermal difference between a center part and a peripheral part of a wafer and enlarge an exchange period of a heater. CONSTITUTION: A heater assembly(900) is formed with a heater(100), a power supply portion(200), and a support p...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | PURPOSE: A heater assembly for heating a wafer is provided to reduce a thermal difference between a center part and a peripheral part of a wafer and enlarge an exchange period of a heater. CONSTITUTION: A heater assembly(900) is formed with a heater(100), a power supply portion(200), and a support plate(300). The heater(100) is installed at a lower portion of a susceptor(400) for supporting a wafer(500) in order to supply the heat to the susceptor(400). The support plate(300) is used for supporting the power supply portion(200) and the heater(100). An insulating member(110) is formed in the inside of the heater(100). An input terminal(120) and an output terminal are formed at a peripheral portion of the heater(100). The power supply portion(200) has a lead portion(220), a power connection portion(240), and a control portion. The support plate(300) is formed with an upper support portion(310) and a lower support portion(320).
웨이퍼 주변부와 중앙부의 온도편차를 줄일 수 있는 반도체 장치용 히터 어셈블리가 개시되어 있다. 히터 어셈블리는 주변부와 중심부의 발열면적이 상이하게 형성된 일체형 발열부재, 발열부재의 하부에서 발열부재를 지지하기 위한 지지부 및 발열부재로 전원을 공급하기 위한 전원부를 포함한다. 이때, 절연부재를 이용하여 주변부보다는 중앙부의 발열면적이 크게 되도록 발열부재의 표면을 구획하여 발열부재의 중앙부보다 주변부에서의 저항값이 더 커지도록 한다. 이에 따라, 히터 주변부의 발열량이 중앙부보다 크게 되어 웨이퍼 표면에서의 온도편차를 감소시킨다. 또한 발열부재로 히터 구동전류를 공급하는 리이드봉을 지지부의 바닥부까지 연장하여 형성함으로써 발열부재의 열응력 및 반응가스 기타 부산물에 의한 리이드봉의 손상을 방지한다. |
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