SEMICONDUCTOR DEVICE

PURPOSE: To make read-out operation high S/N in an MRAM using a memory cell storing information utilizing variation of magnetic resistance of an MTJ element. CONSTITUTION: A memory cell is constituted by comprising an MTJ element and a bipolar transistor QMC. Read-out operation is performed by current- amplifying a current IWL flowing the MTJ element by the bipolar transistor by selecting a word line WL and outputting it to a read-out data line DR. Thereby, high S/N read-out operation can be performed, a semiconductor device having an MRAM having high speed, high integration, and high reliability. 본 발명의 목적은, 마그네틱 터널 정션(MTJ) 소자의 자기 저항의 변화를 이용하여 정보를 기억하는 메모리 셀을 이용한 자기 저항식 랜덤 액세스 메모리(MRAM)에서의 판독 동작을 높은 S/N비로 행하는 것이다. 이 목적은 메모리 셀을, MTJ 소자와 바이폴라 트랜지스터를 포함하여 구성함으로써 달성된다. 판독 동작은 워드선을 선택함으로써 MTJ 소자에 흐르는 전류를 바이폴라 트랜지스터로 전류 증폭하여 판독 데이터선에 출력함으로써 행한다. 이에 따라, 높은 S/N비의 판독 동작이 가능하게 되어, 고속, 고집적, 고신뢰의 MRAM 및 MRAM을 갖는 반도체 장치를 실현한다.