method for forming contact hole of semiconductor device

PURPOSE: A contact hole formation method of semiconductor devices is provided to restrain a generation of byproducts, to reduce a contact resistance and to improve a profile. CONSTITUTION: A conductive layer(22) and a tungsten film(23) are sequentially formed on a semiconductor substrate(21). The tungsten film(23) except for a contact hole formation region is selectively removed. An insulating layer(24) is formed on the entire surface of the resultant structure. A contact hole(25) is formed so as to expose a desired portion of the tungsten film(23) by selectively etching the insulating layer(24). At the time, a titanium nitride(TiN) layer is used as the conductive layer(22). 본 발명은 반응 부산물의 발생을 억제함과 동시에 콘택 저항 및 콘택홀의 프로파일을 개선하도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 소자의 콘택홀을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 전도성막 및 텅스텐막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성되는 영역 이외의 텅스텐막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 텅스텐막을 포함한 전면에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 텅스텐막의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.