THERMAL ANNEAL METHOD OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND MAGNETIC TUNNELING JUNCTION FABRICATED BY THE METHOD

PURPOSE: A magnetic tunnel junction device and a thermal anneal method thereof are provided to improve the TMR(Tunneling Magnetoresistance) rate and optimize the characteristics of the device in a shorter time more effectively by reducing the bent of an oxide layer(Tunnel Barrier Layer). CONSTITUTION: A magnetic tunnel junction device includes an anti-ferromagnetic layer formed of anti-ferromagnetic material, a fixed layer formed on the anti-ferromagnetic layer with a ferromagnetic material, a tunnel barrier layer(16) formed on the fixing layer with an electrically insulating material, and a free layer formed on the tunnel barrier layer with a ferromagnetic material, wherein the magnetic tunnel junction device is subject to rapid thermal anneal by heating at a temperature of 200-400°C for 10sec or less and cooled for 6min or less. 본 발명은 자기 터널 접합 소자의 열처리 방법과 그 방법으로 제조된 자기 터널 접합 소자에 관한 것으로서, 특히 급속 열처리를 통하여 자기 터널 접합 소자의 전자기적 특성 및 열적 안정성을 향상시킨 자기 터널 접합 소자의 열처리 방법 및 그 방법으로 제조된 자기 터널 접합 소자에 관한 것이다. 본 발명인 자기 터널 접합 소자의 열처리 방법은 반강자성 재료로 이루어진 반강자성층과; 상기 반강자성층 상에 강자성 재료로 이루어진 고정층과; 상기 고정층 상에 전기적 절연성을 갖는 재료로 이루어진 터널 장벽 및; 상기 터널 장벽 상에 강자성 재료로 이루어진 자유층으로 구성된 자기 터널 접합 소자를 급속 열처리하는 것이다.