METHOD OF FABRICATING NOR TYPE FLASH MEMORY DEVICE

PURPOSE: A fabrication method of NOR-type flash memory devices is provided to improve a step-coverage and the surface topology of a common source line by forming a uniform impurity diffusion layer on a buried common source line. CONSTITUTION: An isolation layer(105) is formed at a semiconductor substrate(100) so as to define a plurality of active regions. After forming floating gate patterns on the active regions, a gate interlayer dielectric(107), a control gate(108) and a capping insulator(109) are sequentially formed on the resultant structure. A plurality of word lines are formed by sequentially patterning the capping insulator(109), the control gate(108), the gate interlayer dielectric(107) and the floating gate patterns. A buried common source line region is formed by exposed substrate and isolation layer. A common source line having drain and source impurity diffusion layers(113a) is formed by implanting dopants into the exposed active regions. 불순물확산층을 사용한 메몰 공통소스라인의 표면의 요철이 없거나 단차가 낮은 노어형 플래시 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은, 반도체 반도체기판에 소자분리막을 형성함과 동시에 복수개의 활성영역을 한정한다. 상기 활성영역들 상에 부유게이트 패턴을 형성하고, 상기 부유게이트 패턴이 형성된 결과물 전면에 게이트 층간유전체막, 제어게이트 도전막 및 캡핑절연막을 형성한다. 상기 캡핑절연막, 상기 제어게이트 도전막, 상기 게이트 층간 유전체막, 상기 부유게이트 패턴을 차례로 식각하여 상기 활성영역들을 가로지르는 복수개의 워드라인을 형성한다. 상기 각 워드라인의 일 측벽을 따라 노출된 반도체 기판 및 소자분리막을 식각하여 공통소스라인 영역을 형성한다. 상기 공통소스라인 영역 및 상기 각 워드라인의 다른 측벽을 따라 노출된 활성영역에 불순물을 주입하여 공통소스라인 및 드레인을 형성한다.