Method of Making Flash Memory Devices

PURPOSE: A method for fabricating a flash memory device is provided to improve the quality of a dielectric layer and a gate insulation layer, by shortening or eliminating the process for stacking or removing photoresist while an oxygen-nitride-oxygen(ONO) dielectric layer or substrate is exposed. CONSTITUTION: A gate insulation layer and a gate conductive layer are formed on the substrate(10) in a peripheral circuit region. A tunneling gate insulation layer(221), a floating gate conductive layer pattern(231) and the dielectric layer(241) are formed on the substrate in a cell region. A control gate conductive layer(251) is formed in the cell region and in the peripheral circuit region. The control gate conductive layer, the dielectric layer and the floating gate conductive layer pattern are sequentially etched to form a word line, a dielectric layer pattern and a floating gate in the cell region. The gate conductive layer in the peripheral circuit region is patterned to form a gate electrode. 본 발명은 유전막과 게이트 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 형성방법에 관한 것으로, 기판의 셀 영역 트랜지스터의 콘트롤 게이트층과 주변 회로부 트랜지스터의 게이트층을 별도로 형성하여 실리콘 기판이나 유전막이 드러난 상태에서 이들 막과 접하여 포토레지스트 패턴이 형성되고 제거되는 것을 방지한 것에 특징이 있다. 보다 구체적으로, 구동회로가 형성되는 주변 회로부의 고전압 및 저전압 영역에 게이트 절연막이 형성되고, 이들 게이트 절연막 위에 게이트층을 형성하는 단계 및 셀 영역에 턴넬용 게이트 절연막, 플로팅 게이트층, 유전막, 콘트롤 게이트층으로 이루어지는 트렌지스터 구조를 형성하는 단계가 차례로 이루어져 플래시 메모리 장치를 형성하게 된다.