SEMICONDUCTOR DEVICE
PURPOSE: A semiconductor device having an integrated capacitor and/or inductor is provided to reduce the size of a module, by decreasing a chip area and by making a capacitance device and an inductance device inside a chip. CONSTITUTION: A thin film passive element includes at least one of a capacit...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | PURPOSE: A semiconductor device having an integrated capacitor and/or inductor is provided to reduce the size of a module, by decreasing a chip area and by making a capacitance device and an inductance device inside a chip. CONSTITUTION: A thin film passive element includes at least one of a capacitance element(C) having a plurality of conductive layers(15,20) and a dielectric material layer(18). An inductance element formed of a patterned conductive film is stacked on a circuit element-forming region of a semiconductor substrate(11) provided with a plurality of connection pads(12), connected to the circuit element of the circuit element-forming region.
본 발명은 CSP(Chip Size Package)구조의 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 복수의 접속패드를 구비하는 반도체기판의 회로소자형성영역상에 복수의 도체층과 유전체층에 의해 형성되는 용량소자, 혹은 패터닝된 도체층에 의해 형성되는 유도소자의 적어도 어느 쪽인가 한쪽을 구비하는 박막수동소자가 적층하여 형성되고, 회로소자형성영역의 회로소자에 접속됨으로써 칩면적을 축소할 수 있는 동시에 RF기능에 필요한 수동소자를 내장할 수 있는 것으로부터 무선I/F기능 등을 구비하는 모듈칫수의 축소를 도모할 수 있으며, 또 박막수동소자는 반도체웨이퍼상에 절연막을 통하여 형성하고, 용량소자는 제 1 도체층과 유전체층과 제 2 도체층을 적층하여 형성하며, 유도소자는 인덕턴스성분이 생기는, 예를 들면 각소용돌이형상으로 패터닝한 도체층을 형성함으로써 형성하고, 칩형성영역마다 반도체웨이퍼를 개편화(個片化)함으로써 반도체장치를 형성하며, 이것에 의해 칩상에 박막수동소자를 적층하여 탑재하는 복수의 반도체장치를 일괄하여 형성할 수 있는 것을 특징으로 한다. |
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