ASSIST FEATURES FOR USE IN LITHOGRAPHIC PROJECTION

PURPOSE: An assist feature for use in a lithographic projection process is to provide a mask for improving features regularly or irregularly isolated from each other and closely adjacent to each other, and to fabricate a device by using the improved mask. CONSTITUTION: The assist features are positioned so as to make the array more symmetric in a mask pattern for a device such as a dynamic random access memory(DRAM) device including a nearly regular array of isolated features. Where the isolated features are positioned at mos but not all of the points of a regular unit cell, the assist features may be positioned at the points of the unit cell not occupied by the isolated features. The isolated features may represent contact holes. 격리된 피쳐의 거의 규칙적인 배열을 포함하는 DRAM과 같은 디바이스용 마스크 패턴에 있어서, 상기 배열을 보다 대칭적으로 만들도록 보조 피쳐가 배치된다. 격리된 피쳐가 규칙적인 단위 셀의 모든 지점은 아니나 최대한의 지점에 배치되는 경우에, 상기 보조 피쳐는 격리된 피쳐가 차지하지 않은 단위 셀의 지점에 배치될 수 있다. 격리된 피쳐는 콘택홀을 나타낼 수도 있다.