method for manufacturing capacitors of the semiconductor device

PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device is provided to increase a surface doping density of a hemispherical grain(HSG) without a PH3 doping process and to improve capacitance, by using inexpensive GeH4 gas having a rapid activation speed instead of expensive Si2H6 gas in forming the HSG. CONSTITUTION: An interlayer dielectric having a buried contact window to expose a part of the surface of a semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate. A storage electrode is formed in a predetermined portion on the interlayer dielectric including the buried contact window. The HSG is grown in an exposed portion of the surface of the storage electrode by using the GeH4 gas as a seed. A plate electrode is formed by interposing a dielectric layer in a predetermined portion on the interlayer dielectric including the HSG. 고가의 SiH개스 대신에 활성화 속도가 빠른 저가의 GeH개스를 사용하여 HSG를 형성하므로써, 비용을 절감하고, 공정을 단순화하며, 커패시턴스를 증대시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 커패시터 제조방법이 개시된다. 이를 구현하기 위하여 본 발명에서는, 반도체 기판 상에, 상기 기판의 표면이 일부 노출되도록 매몰 접촉창이 구비된 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 매몰 접촉창을 포함한 층간절연막 상의 소정 부분에 스토리지 전극을 형성하는 단계와, GeH개스를 시드로 사용하여 상기 스토리지 전극의 표면 노출부에 HSG를 성장시키는 단계 및 상기 HSG를 포함한 층간절연막 상의 소정 부분에 유전막을 개제하여 플레이트 전극을 형성하는 단계로 이루어진 반도체 소자의 커패시터 제조방법이 제공된다.