gate structure of semiconductor devices

본 발명은 MOS 트랜지스터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 트랜지스터의 신호(ON/OFF)를 빠르게 하고 신뢰성을 향상시키고, 제조과정에서 게이트의 패턴 불량을 방지하는 게이트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 반도체장치의 트랜지스터는 엑티브층을 갖는 실리콘기판(11) 고농도의 불순물 이온 주입에 의하여 구성되는 소스전극(12) 및 드레인전극(13)이 형성된다. 특히, 상기 엑티브층 위에는 AlO막(15)과 SiGe막(16) 및 다결정 실리콘(17)이 적층되어 게이트(20)를 구성한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHO, GYEONG HWAN, LEE, GWANG JEON, RYU, SE HYEONG, YOO, JIN GUK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 MOS 트랜지스터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 트랜지스터의 신호(ON/OFF)를 빠르게 하고 신뢰성을 향상시키고, 제조과정에서 게이트의 패턴 불량을 방지하는 게이트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 반도체장치의 트랜지스터는 엑티브층을 갖는 실리콘기판(11) 고농도의 불순물 이온 주입에 의하여 구성되는 소스전극(12) 및 드레인전극(13)이 형성된다. 특히, 상기 엑티브층 위에는 AlO막(15)과 SiGe막(16) 및 다결정 실리콘(17)이 적층되어 게이트(20)를 구성한다.