Dielectric ceramic compositions having superior permittivity and low loss for microwave applications

본 발명은 듀플랙서 등의 부품에 사용되는 고주파 유전체 조성물에 관한 것으로, 그 목적은 15,000∼40,000의 Qf와 TCF를 자유롭게 조절하면서 유전율을 40수준으로 올릴 수 있는 고주파 유전체 조성물을 제공함에 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, a ZrO- b ZnO - c NbO- d TiO[ 5.0 ≤ a ≤45.0, 1.5 ≤b ≤18.0, 1.5 ≤c ≤18.0, 50.0 ≤d ≤59.0]로 조성되는 유전체 조성물; 그리고, a ZrO- b ZnO - c NbO- d TiO[5.0 ≤ a ≤45.0, 1...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM, JUN HUI, HUH, GANG HEON, KIM, U SEOP
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CABLES CONDUCTORS ELECTRICITY INSULATORS SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING ORDIELECTRIC PROPERTIES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 듀플랙서 등의 부품에 사용되는 고주파 유전체 조성물에 관한 것으로, 그 목적은 15,000∼40,000의 Qf와 TCF를 자유롭게 조절하면서 유전율을 40수준으로 올릴 수 있는 고주파 유전체 조성물을 제공함에 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, a ZrO- b ZnO - c NbO- d TiO[ 5.0 ≤ a ≤45.0, 1.5 ≤b ≤18.0, 1.5 ≤c ≤18.0, 50.0 ≤d ≤59.0]로 조성되는 유전체 조성물; 그리고, a ZrO- b ZnO - c NbO- d TiO[5.0 ≤ a ≤45.0, 1.5 ≤b ≤18.0, 1.5 ≤c ≤18.0, 50.0 ≤d ≤59.0]의 기본조성에 SnO, MnO, TaO, CaO, SiO, SbO, SbO, AlO, WO의 그룹에서 선택된 1종 또는 2종이상과 MgO:1.5wt이하로 조성되는 저손실 고유전율 고주파 유전체 조성물에 관한 것을 그 기술적요지로 한다.