Double value single electron memory using multi-quantum dot and driving method thereof

본 발명은 EEPROM 혹은 플래쉬(Flash) 메모리의 플로팅 게이트(Floating Gate; FG) 를 2개의 양자점(quantum dot)으로 구성하고 이들을 Multi-value(다치)메모리에 응용한 다중 양자점 응용 단일 전자 다치 메모리 및 그 구동 방법(Double value Single Electron Memory using Multi-Quantum Dot and Driving Method thereof)을 기재한다. 본 발명에 따른 두 개의 양자점 응용 단일전자 메모리는 채널 상의 양단에 각각 플로팅 게이트를 형성...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	LEE, JO WON, KIM, BYEONG MAN, KIM, MUN GYEONG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INFORMATION STORAGE MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES STATIC STORES TRANSPORTING
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