Double value single electron memory using multi-quantum dot and driving method thereof

본 발명은 EEPROM 혹은 플래쉬(Flash) 메모리의 플로팅 게이트(Floating Gate; FG) 를 2개의 양자점(quantum dot)으로 구성하고 이들을 Multi-value(다치)메모리에 응용한 다중 양자점 응용 단일 전자 다치 메모리 및 그 구동 방법(Double value Single Electron Memory using Multi-Quantum Dot and Driving Method thereof)을 기재한다. 본 발명에 따른 두 개의 양자점 응용 단일전자 메모리는 채널 상의 양단에 각각 플로팅 게이트를 형성한 다음 그 위에 절연층을 개재시켜 제어 게이트를 형성한 구조를 가진다. 따라서, 2개의 양자점을 응용하여 다치(Multi-value) 메모리 실현시킨다는 점과 다른 메모리들과는 달리 MOSFET의 스케일링(Scaling)에 따른 SCE와 같은 물리적 한계에 봉착치 않으면서 1Tb 이상의 초고집적 메모리를 구현할 수 있다. A multi-value single electron memory using a multi-quantum dot, in which the floating gates (FG) of a EEPROM or a flash memory are formed to act as two quantum dots, and the two quantum dots are applied to multi-value memories, and a driving method of the multi-value single electron memory, are provided. Thus, a multi-value memory can be realized using two quantum dots. Also, an ultra-highly integrated memory of 1 Tb or greater can be realized without encountering a physical limit such as a short channel effect (SCE) caused by scaling down MOSFETs, in contrast to other memories.