Rotation of Magnetic Easy-Axis and Multiple Easy-Axis in Magnetic Materials and the Fabrication Method of the Same

PURPOSE: A method is provided to achieve an improved magnetic recording density by rotating the magnetization direction at a predetermined angle and forming double or multiple magnetization directions within the magnet. CONSTITUTION: A method comprises the first step of forming a plurality of thin f...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHAE, GEUN HWA, JUNG, GWANG HO, JANG, GAP SU, LEE, JAE YONG, HWANG, CHUNG NAM, LEE, YEONG BAEK, SONG, JONG HAN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:PURPOSE: A method is provided to achieve an improved magnetic recording density by rotating the magnetization direction at a predetermined angle and forming double or multiple magnetization directions within the magnet. CONSTITUTION: A method comprises the first step of forming a plurality of thin film layers by depositing transition metal containing Mn and ferromagnetic substance containing at least one of Co, Fe and Ni, and rare-earth element containing at least one of Pt or Pd; and the second step of mixing plural thin film layers by performing ion beam incidence to the thin film layers, wherein the ion beam includes at least one of He, Ne, Ar, Xe and Kr, and forming double or triple metal alloy thin film of metastable state. In the second step, magnetic field is applied in a vertical or horizontal direction to the thin film so as to obtain superior magneto-optical characteristics. 본 발명은 자성체의 자화용이축 (magnetic easy-axis) 변형을 통하여 자성체의 자화방향을 (magnetization direction) 조절하는 방법에 관련된 것이다. 본 발명은 자성체의 표면에 고에너지의 이온원자를 외부 자기장 하에 조사시켜 자성체의 물질구조를 변형하므로써 자성박막 제작시 고정되는 자화방향을 임의의 각도로 회전시켜 자성체 내에 이중 또는 다중의 자화방향을 가지도록 하는 다중 자화축 (multiple easy-axis) 자성체 제조방법을 제공한다. 또한 기존의 자기기록매체 제작에 있어 자기기록 단위간의 자기상호작용에 (magnetic interaction) 의한 기록정보 훼손을 방지하기 위해 필요한 사이띄개층(spacer)없이 이 층을 직각 자화층으로 사용하여 자기기록 밀도를 향상시킬 수 있다. 아울러 현재의 반도체 Random Access Memory (RAM)을 대체하기 위하여 현재 개발단계에 있는 차세대 Magnetic Random Access Memory (MRAM) 개발에 있어 난점 중의 하나인 자화축 자유조절을 가능하게 한다. 본 발명에 의하면, 현재로서는 불가능한 자기 센서, 자기 RAM, 자기 기록매체에 다중방향의 자화 기록이나 감지를 한 소자에 구현하여 소형화 집적화를 할 수 있고, 외부자장에 의한 자기 성능 향상으로 소자가 미세해도 충분히 성능을 유지할 수 있다.