Indirectly heated cathode assembly

PURPOSE: An indirectly heated cathode structure is provided to control the amount of electron beam in an accurate manner by preventing leakage current between the heater and metal base. CONSTITUTION: An indirectly heated cathode structure comprises an electron emitting member(21) for emitting thermal electrons when heated; a metal base(22) having a fixed portion(22a) where the electron emitting member is mounted, and a skirt portion(22b) extended downward from an edge of the fixed portion; a heater(23) mounted inside of the metal base; and an insulation layer(24) having a lower insulation layer(24a) constituted by a P-type semiconductor coated at the outer periphery of the heater, and an upper insulation layer(24b) constituted by an N-type semiconductor coated at the outer periphery of the lower insulation layer. Thus-configured indirectly heated cathode is capable of preventing current leakage between the heater and the cathode even at a high temperature of 1000°C or higher. 본 발명은 전자총의 방열형 음극구조체에 관한 것으로서, 가열시 열전자를 방출하는 전자방출부재; 상기 전자방출부재가 장착된 고정부와 상기 고정부의 가장자리로부터 하방으로 연장되는 스커트부를 구비하는 금속기재; 상기 금속기재의 내부에 설치되는 히이터; 및 상기 히이터의 외주면에 코팅되는 P-형 반도체로 구성된 하부절연층과, 상기 하부절연층의 외주면에 코팅되는 N-형 반도체로 구성된 상부절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열형 음극구조체를 제공한다. 본 발명에 따른 방열형 음극구조체는 1000 ℃ 이상의 고온에서도 히이터와 음극 사이에 누설전류가 흐르는 것을 방지할수 있다.