THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

PURPOSE: To provide a thin film transistor and its manufacturing method in which even when a low resistive metal is used for a material of a gate electrode and a wiring, high reliability is ensured. CONSTITUTION: This thin film transistor has a gate electrode 18; a gate insulation film 20; a semiconductor layer 22; and source/drain electrodes 36a, 36b, formed on a substrate 10. The gate electrode or source/drain electrode has a first conductive film 12; a second conductive film 14; and a third conductive film 16. The first conductive film is composed of a metal selected from Al, Cu and Ag or an alloy using this metal as a major component, and its side face is inclined. The second conductive film is composed of a film in which nitrogen is included in Mo or an alloy using Mo as a major component, and its side face is inclined. The third conductive film is composed of Mo or an alloy using Mo as a major component. 게이트 전극이나 배선의 재료에 저저항 금속을 사용한 경우에도 높은 신뢰성을 확보할 수 있는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 기판(10) 상에 형성된 게이트 전극(18)과, 게이트 절연막(20)과, 반도체층(22)과, 소스/ 드레인 전극(36a, 36b)을 갖는 박막 트랜지스터로서, 게이트 전극 또는 소스/ 드레인 전극은 제1도전막 (12)과, 제2도전막(14)과, 제3도전막(16)을 갖고, 제1도전막은 Al, Cu 및 Ag에서 선택된 금속 또는 이 금속을 주성분으로 하는 합금으로 되고, 측면이 경사져 있고, 제2도전막은 Mo 또는 Mo를 주성분으로 하는 합금에 질소를 함유한 막으로 되고, 측면이 경사져 있고, 제3도전막은 Mo 또는 Mo를 주성분으로 하는 합금으로 이루어진다.