INTEGRATED LOW K DIELECTRICS AND ETCH STOPS

PURPOSE: A method for depositing and etching a dielectric layer is provided to control a dielectric constant with low and etching speed changes 3:1 for forming horizontal mutual interconnects. CONSTITUTION: Quantity of carbon or hydrogen in a dielectric layer fluctuates due to the change in deposition condition for installing an etching stop layer or a low k dielectric in the application of damascene, which can be substituted for the former dielectric layer. Dual-damascene structure having a dielectric layer whose dielectric constant is not less than 2, which is lower than about 4, can execute deposition in the single reactor and is etched by vertical or horizontal interconnection, controlling the concentration of gas such as carbon monoxide fluctuate. Etching gas for forming the vertical mutual interconnections comprises CO and a fluorocarbon, and CO gas is preferably removed from etching gas for forming the horizontal interconnects. 낮은 절연 상수 및 수평 상호접속물의 형성을 위해 적어도 3:1로 변경되는 에칭 속도를 갖는 절연층을 증착하고 에칭하기 위한 방법이 개시되어져 있다. 절연층 내의 탄소 또는 수소의 양은 대머신 분야에서 에칭 스톱층 또는 종래의 절연층을 교체할 수 있는 낮은 수치의 k 값을 갖는(k≤4.0) 절연층을 제공하기 위해 증착 조건을 변경시킴으로써 변경된다. 대략 4 이하의 절연 상수를 갖는 두개 이상의 절연층을 갖는 이중 대머신(dual damascene) 구성은 단일 반응기 내에서 증착되어, 일산화탄소 등의 탄소:산소 가스의 농도를 변경시킴으로써 수직 및 수평 상호접속물을 형성하기 위해 에칭된다.수직 상호접속물을 형성하기 위한 에칭 가스는 바람직하게 CO 및 탄화불소를 포함하며, CO는 수평 상호접속물을 형성하기 위한 에칭 가스로부터 제외된다.