IMAGE SENSOR HAVING HIGH PHOTO SENSITIVITY

IMAGE SENSOR HAVING HIGH PHOTO SENSITIVITY

PURPOSE: An image sensor is provided to improve the photo sensitivity by improving a transmission rate of a beam inputted to a light receiving element. CONSTITUTION: An oxynitride layer(201) and HSO layer(202) are selectively deposited on an upper portion of a light receiving element(102). Elements...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: WOO, SEON WOONG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator WOO, SEON WOONG
description PURPOSE: An image sensor is provided to improve the photo sensitivity by improving a transmission rate of a beam inputted to a light receiving element. CONSTITUTION: An oxynitride layer(201) and HSO layer(202) are selectively deposited on an upper portion of a light receiving element(102). Elements including the light receiving element(102) are formed on a substrate(101). An insulation layer and a metal wire are formed on the substrate(101). For protecting the elements, an oxide layer(107) is provided. The insulation layer and the oxide layer(107) are selectively etched to expose the light receiving element(102). The oxynitride layer(201) and HSO layer(202) are deposited on the exposed light receiving element(102) and are flattened. 본 발명은 수광소자로 입사되는 빛의 투과도를 향상시켜 광감도를 개선한 이미지센서를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이미지센서는, 수광소자를 갖는 이미지센서에 있어서, 상기 수광소자 상부에는 선택적으로 옥시나이트라이드층과 HSO층이 적층되어 형성된 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명의 이미지센서 제조방법은 수광소자를 포함하는 관련된 소자들이 형성된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 층간절연막과 금속배선을 형성하는 단계; 소자보호를 위한 산화막을 형성하는 단계; 상기 수광소자가 노출되도록 상기 수광소자 상부지역에 적층된 상기 층간절연막과 상기 산화막을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 노출된 수광소자 상에 옥시나이트라이드층과 HSO층을 적층하고 평탄화하는 단계를 포함하여 이루어진다.
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CONSTITUTION: An oxynitride layer(201) and HSO layer(202) are selectively deposited on an upper portion of a light receiving element(102). Elements including the light receiving element(102) are formed on a substrate(101). An insulation layer and a metal wire are formed on the substrate(101). For protecting the elements, an oxide layer(107) is provided. The insulation layer and the oxide layer(107) are selectively etched to expose the light receiving element(102). The oxynitride layer(201) and HSO layer(202) are deposited on the exposed light receiving element(102) and are flattened. 본 발명은 수광소자로 입사되는 빛의 투과도를 향상시켜 광감도를 개선한 이미지센서를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이미지센서는, 수광소자를 갖는 이미지센서에 있어서, 상기 수광소자 상부에는 선택적으로 옥시나이트라이드층과 HSO층이 적층되어 형성된 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명의 이미지센서 제조방법은 수광소자를 포함하는 관련된 소자들이 형성된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 층간절연막과 금속배선을 형성하는 단계; 소자보호를 위한 산화막을 형성하는 단계; 상기 수광소자가 노출되도록 상기 수광소자 상부지역에 적층된 상기 층간절연막과 상기 산화막을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 노출된 수광소자 상에 옥시나이트라이드층과 HSO층을 적층하고 평탄화하는 단계를 포함하여 이루어진다.</description><edition>7</edition><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2000</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20000715&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20000044584A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20000715&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20000044584A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WOO, SEON WOONG</creatorcontrib><title>IMAGE SENSOR HAVING HIGH PHOTO SENSITIVITY</title><description>PURPOSE: An image sensor is provided to improve the photo sensitivity by improving a transmission rate of a beam inputted to a light receiving element. 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The oxynitride layer(201) and HSO layer(202) are deposited on the exposed light receiving element(102) and are flattened. 본 발명은 수광소자로 입사되는 빛의 투과도를 향상시켜 광감도를 개선한 이미지센서를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이미지센서는, 수광소자를 갖는 이미지센서에 있어서, 상기 수광소자 상부에는 선택적으로 옥시나이트라이드층과 HSO층이 적층되어 형성된 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명의 이미지센서 제조방법은 수광소자를 포함하는 관련된 소자들이 형성된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 층간절연막과 금속배선을 형성하는 단계; 소자보호를 위한 산화막을 형성하는 단계; 상기 수광소자가 노출되도록 상기 수광소자 상부지역에 적층된 상기 층간절연막과 상기 산화막을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 노출된 수광소자 상에 옥시나이트라이드층과 HSO층을 적층하고 평탄화하는 단계를 포함하여 이루어진다.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2000</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNDy9HV0d1UIdvUL9g9S8HAM8_RzV_DwdPdQCPDwD_EHS3iGeIZ5hkTyMLCmJeYUp_JCaW4GZTfXEGcP3dSC_PjU4oLE5NS81JJ47yAjAxAwMTG1MHE0Jk4VAOa_JZI</recordid><startdate>20000715</startdate><enddate>20000715</enddate><creator>WOO, SEON WOONG</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20000715</creationdate><title>IMAGE SENSOR HAVING HIGH PHOTO SENSITIVITY</title><author>WOO, SEON WOONG</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20000044584A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2000</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>WOO, SEON WOONG</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>WOO, SEON WOONG</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>IMAGE SENSOR HAVING HIGH PHOTO SENSITIVITY</title><date>2000-07-15</date><risdate>2000</risdate><abstract>PURPOSE: An image sensor is provided to improve the photo sensitivity by improving a transmission rate of a beam inputted to a light receiving element. 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