HUMIDITY SENSOR USING POROUS SILICON AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

PURPOSE: A humidity sensor using porous silicon is provided to reduce measuring error and response time and to improve an effect of a humidity sense by limiting an interval between two electrodes as only porous silicon layer. CONSTITUTION: An epitiaxial layer(30) with a second conductive type is formed on a high density silicon substrate(10) with a first conductive type. A porous silicon layer(20) is formed at a part of region of the epitiaxial layer(30). A part of region of the porous silicon layer(20) is oxidized and removed, and an exposed region of the high density silicon layer(10) is formed at a part of region of the porous silicon layer(20). A protecting film(40) is formed to a upper portion of the epitiaxial layer(30) and a part of the exposed region. A first and second electrode(50) is formed to a upper region of the porous silicon layer(20) and the high density silicon substrate(10). 집적화에 용이한 구조를 갖는 IC(Integrate Circuit)형 습도 센서 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 제1 도전형의 고농도 실리콘 기판상에 형성된 제2 도전형의 에피층, 상기 제2 도전형의 에피층을 선택적인 양극 반응을 통하여 상기 에피층내의 일부 영역에 형성된 다공질실리콘층, 상기 에피층에 의해 격리된 다공질 실리콘층들의 일영역을 산화시킨 후 제거하여 형성된 상기 고농도의 실리콘 기판의 노출영역, 상기 제2 도전형의 에피층을 보호하기 위해 상기 에피층과 상기 노출영역의 일부영역 상부에 형성된 산화막, 및 상기 다공질실리콘층과 상기 고농도 실리콘 기판의 노출영역 상부에 각각 형성된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하여 구성된다. 본 발명에 의하면, 두 전극사이의 간격을 단지 다공질 실리콘층으로 제한함으로써 불필요한 하부에서 고려해야할 기생 정전용량의 효과를 제거할 수 있으며, 전극의 위치를 모두 웨이퍼 상단에 형성함으로써, 집적화가 용이한 IC형 마이크로 센서의 제작이 가능하다.