METHOD AND APPARATUS FOR CONTACTLESS TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE IN WAFER FORM

PURPOSE: An apparatus for contactless treatment of a semiconductor substrate in wafer form can allow one of the gas streams to function as process gas and particularly supply process gas from one side section at a relatively low temperature to the semiconductor substrate, whilst the other side of the semiconductor substrate is subjected to a relatively high temperature originating from the opposite side section. CONSTITUTION: Such a treatment comprises heating the semiconductor substrate. To this end it is proposed to position the semiconductor substrate between two side sections of an enclosing apparatus and to keep the semiconductor substrate floating between said two side sections by introducing gas streams. It has been found that it is particularly effective to heat the substrate by means of at least one of said side sections. The apparatus establishes the space between side sections and semiconductor substrate as 1.0mm. Either a first side section or a second side section is heated to more than 200 De,C tempture. 본 발명의 처리 방법은 반도체 기판을 가열하는 단계를 포함한다. 이 때문에, 밀폐 장치의 2개의 측면 섹션 사이에 반도체 기판을 배치시키고, 가스 스트림을 삽입함으로써 2개의 측면 섹션 사이에 부유하게 반도체 기판을 유지하는 것이 제안되었다. 특히 상기 측면 섹션중 적어도 하나의 측면 섹션으로 기판을 가열하는데 효과적이다는 것을 알게 되었다. 본 발명의 방법 및 장치를 이용하여 가스 스트림중 하나가 공정 가스로서 기능을 하게 할 수 있으며, 특히 비교적 낮은 온도의 하나의 측면 섹션으로부터 공정 가스를 반도체 기판에 공급할 수 있고, 반면에 반도체 기판의 다른 측면에는 반대의 측면 섹션으로부터 초래되는 비교적 높은 온도로 된다.